SE20N10ED
MOSFET mang đến sự kết hợp tối ưu giữa tốc độ chuyển mạch nhanh, điện trở dẫn thấp và hiệu quả về chi phí.
Thông số kỹ thuật
Specifications
VDS(V)
20
Marking Code
EN
Case
DFN1006-3L
VGS (±V)
8
ID (A)
1
PD (W)
0.3
Polarity
N(With ESD)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
10V
-
5V
-
4.5V
250
2.5V
300
