SESD3Z12V
Cung cấp công suất xung đỉnh lên đến 350 W (8/20 μs) giúp bảo vệ chống quá áp đột biến cho các đường truyền dữ liệu, đường I/O và đường nguồn; nổi bật với điện áp kẹp thấp, dòng rò thấp cùng công nghệ thác tuyết silicon (silicon-avalanche) trạng thái rắn trong kích thước đóng gói nhỏ gọn dành cho các thiết bị điện tử di động.
Thông số kỹ thuật
Specifications
Marking Code
6U
Case
SOD-323
Circuit Figure
Fig.1
Peak Power Dissipation 8*20μsec PPPP(W)
350
Reverse Stand-Off Voltage VRWM(V)
12
Max Clamping Voltage VC (V) @ IPP
26.3
Off-State Capacitance 1MHz Zero dc Bias CO (PF)
25
Peak Pulse Current 8x20μsec IPP (A)
15
Reverse Leakage IR (μA) @ VRWM
1
