SESD3Z5.0T1
Cung cấp công suất xung đỉnh lên đến 250 W (8/20 μs) cùng khả năng bảo vệ chống phóng tĩnh điện (ESD) và xung đột biến cho một đường I/O hoặc đường nguồn đơn lẻ; nổi bật với điện áp kẹp thấp, dòng rò thấp và điện áp hoạt động 5 V. Kích thước đóng gói nhỏ gọn cùng công nghệ thác tuyết silicon (silicon-avalanche) giúp linh kiện này trở thành lựa chọn lý tưởng cho các thiết bị điện tử di động và ứng dụng bảo vệ ESD.
Thông số kỹ thuật
Specifications
Marking Code
05/5D
Case
SOD-323
Circuit Figure
Fig.1
Peak Power Dissipation 8*20μsec PPPP(W)
250
Reverse Stand-Off Voltage VRWM(V)
5
Max Clamping Voltage VC (V) @ IPP
10.5
Off-State Capacitance 1MHz Zero dc Bias CO (PF)
350
Peak Pulse Current 8x20μsec IPP (A)
24
Reverse Leakage IR (μA) @ VRWM
10
