SE2101E
SE2101E là MOSFET công suất kênh P, hoạt động ở chế độ tăng cường, được chế tạo với mật độ cell cao và công nghệ DMOS dạng rãnh (Trench). Thiết bị đặc biệt phù hợp với các ứng dụng điện áp thấp, đặc biệt là các mạch sử dụng pin. Thiết kế nhỏ gọn, mỏng giúp tiết kiệm không gian trên PCB.
Thông số kỹ thuật
Specifications
VDS(V)
20
Marking Code
21E/39K
Case
SOT-523
VGS (±V)
8
ID (A)
0.8
PD (W)
0.25
Polarity
P
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
10V
-
5V
-
4.5V
300
2.5V
400
